半导体概念 充电桩 第三代半导体 电子元件 国产芯片 江苏板块 汽车芯片 太阳能 碳化硅 物联网 新能源车 预盈预增
电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售;集成电路、电子产品的研发、设计、技术转让、技术服务、销售;计算机软件的研发、技术转让;利用自有资产对外投资;环境保护专用设备的制造、销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。
根据国家统计局颁布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”大类下“3972半导体分立器件制造”;根据证监会《上市公司行业分类指引》(2012年修订),公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。截至2020年1月19日,公司拥有97项专利,其中发明专利35项,发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列;公司拥有的该等专利与MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关,对公司核心技术形成了专利保护,对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外,公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SCI收录论文7篇,不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平,缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距,拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。
公司主要产品为沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半导体功率器件,已拥有覆盖12V~1350V电压范围、0.1A~350A电流范围的多系列细分型号产品,是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全的设计企业之一。公司通过构建主要产品工艺技术平台,衍生开发细分型号产品,并持续升级产品工艺平台,形成了“构建-衍生-升级”的良性发展模式,从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生,满足下游多个领域的需求,最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前,公司已拥有1,000余种细分型号产品,能够满足不同下游市场客户以及同一下游市场不同客户的差异化需求。基于国际先进的超低能耗电荷平衡理论技术,公司研发的主要产品紧跟国际一线品牌,且拥有全部自主知识产权。公司600V-1350V的沟槽型场截止IGBT、500V-900V的第三代超结功率MOSFET、30V-300V的屏蔽栅功率MOSFET、12V-250V的沟槽型功率MOSFET均已实现量产及系列化。未来,公司将进一步优化产品性能,挖掘客户的需求,丰富产品系列型号,保持公司在产品系列方面的竞争优势。
公司产品性能优良,质量稳定,一致性高。公司拥有完善的产品质量管控体系,针对产品进行全流程质量管控。公司建立了严格的供应商选择机制,供应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华虹宏力、华润上华、中芯集成领先的芯片代工企业,芯片产品性能优异,质量可靠。封装测试主要采购长电科技(600584)、通富微电(002156)、安靠技术(Amkor)等一流封装测试企业的服务,封装良率较高,功率器件品质良好。公司产品已获得了《ISO9001质量体系证书》,符合ISO9001:2015质量管理体系的要求;而且,公司“沟槽型功率MOSFET”、“绝缘栅双极型晶体管(IGBT)”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”等产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品。公司产品在细分市场领域具有较高的品质优势。
自公司股票上市之日起三十六个月内,不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接及间接持有的公司股份,也不由公司回购本人直接及间接持有的该部分股份。
在满足现金分红条件的基础上,结合公司持续经营和长期发展,公司每年以现金方式分配的利润不少于当年实现的可分配利润的10%,且最近3年以现金方式累计分配的利润不少于最近3年实现的年均可分配利润的30%。
公司首次公开发行股票并上市后三年内,如公司股票收盘价格连续20个交易日低于最近一期经审计的每股净资产,公司将通过控股股东增持股份、公司全体董事(独立董事除外)和高级管理人员增持公司股票以及公司回购股份等措施来稳定股价。